同创伟业

发布日期：2025-10-09

2025年9月，同创伟业成员企业进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技术布局取得阶段性进展。

进化半导体制备的氧化镓厚膜同质外延片，有如下特色：1、使用自产氧化镓衬底，取自进化半导体独特的“无铱工艺”氧化镓晶体，晶片尺寸为2英寸，晶面为(100)偏6度；2、使用自主开发的科研级HVPE外延设备，支持2~4英寸衬底；3、外延层厚度为40μm，表面光滑，无色通透。

这是国内首次报道超过20μm厚度的氧化镓同质外延成果，进化半导体表示将继续潜心研发，支持氧化镓产业的发展和完善。

为何采用(100)偏6度面？

氧化镓（100）面晶体易生长易加工，可以制造大尺寸晶片，但是因无法做外延及芯片而无实际应用价值，(010)和(001)晶面是目前用于芯片制造的主要晶面，但是晶片有解理面，较易在表面加工以及芯片制程和封装环节中破碎，影响产业链多个环节的良率和成本。(100)偏6度面的晶片无解理面，制程适配性更好。

为何采用HVPE外延？

相较于MOCVD外延方式，HVPE一方面使用的气源不燃不爆，安全性非常高；一方面设备和所用气源都更为廉价，研发和产业化的投入低；一方面目前HVPE是唯一的商业化，且唯一能制备超过10μm高品质厚膜的方式。

进化半导体已可供应：

(100)偏6度及各种定制晶面的科研级衬底

蓝宝石衬底HVPE异质外延片

氧化镓衬底HVPE同质外延片

科研级HVPE设备

欢迎感兴趣的研究团队咨询合作，共同为氧化镓的发展添砖加瓦。企业联系方式：sales@evolusia.cn

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